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氮化铝(ALN)

氮化 ALN

氮化铝具有六边形晶体结构,并且是共价键合材料。需要使用烧结助剂和热压来生产致密的技术级材料。该材料在惰性气氛中对非常高的温度是稳定的。在空气中,表面氧化发生在700°C以上。形成一层氧化铝,可在1370°C的温度下保护材料。高于该温度时,会发生大量氧化。氮化铝在高达980°C的氢气和二氧化碳环境中是稳定的。该材料通过晶界侵蚀缓慢溶解在矿物酸中,通过侵蚀氮化铝颗粒缓慢溶解在强碱中。这种材料在水中慢慢水解。目前的大多数应用都是在散热很重要的电子领域。这种材料作为一种无毒的铍替代品而备受关注。金属化方法可用于允许氮化铝代替氧化铝和氧化铍用于许多电子应用。

氮化铝 - 副本.png 

:氮化铝典型特征包括:

1良好的介电性

2高热导率

3低热膨胀系数,接近硅

4与正常半导体工艺化学品和气体无反应

5氮化铝典型应用包括:

1电子封装基板

2散热器

3IC封装

4功率晶体管基极

5微波器件封装


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